plas

原料比对

产品信息
品名
品牌名
典型应用
特性
认证
PC/ABS T-85 泰国科思创(拜耳)
Bayblend® 
电气领域,电子领域
高流动,高抗冲
UL
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物性数据

热性能测试条件测试方法泰国科思创(拜耳)/T-85
热变形温度0.45MPa,未退火ISO 75-2/B128 °C
1.8MPa,未退火ISO 75-2/A108 °C
维卡软化温度--ISO 306/B50129 °C
--ISO 306/B120130 °C
线性热膨胀系数TD:23to55°CISO 11359-27E-05 cm/cm/°C
MD:23到55°CISO 11359-27.5E-05 cm/cm/°C
冲击性能测试条件测试方法泰国科思创(拜耳)/T-85
多轴向仪器化冲击能量23°CISO 6603-246.0 J
-30°CISO 6603-252.0 J
悬壁梁无缺口冲击强度-30°CISO 180NoBreak
23°CISO 180NoBreak
电气性能测试条件测试方法泰国科思创(拜耳)/T-85
表面电阻率IEC 600931E+17 ohms
耗散因数23°C,100HzIEC 602502.5E-03
23°C,1MHzIEC 602509E-03
介电强度23°C,1.00mmIEC 60243-135 KV/mm
体积电阻率23°CIEC 600931E+17 ohms·cm
相比漏电起痕指数解决方案AIEC 60112PLC 3
相对电容率23°C,1MHzIEC 602502.90
23°C,100HzIEC 602503.00
机械性能测试条件测试方法泰国科思创(拜耳)/T-85
拉伸模量23°CISO 527-2/12300 Mpa
拉伸强度断裂,23°CISO 527-2/554.0 Mpa
屈服,23°CISO 527-2/5055.0 Mpa
拉伸应变屈服,23°CISO 527-2/504.9 %
断裂,23°CISO 527-2/5>50 %
物理性能测试条件测试方法泰国科思创(拜耳)/T-85
MeltViscosity260°CISO 11443-A255 Pa·s
熔体体积流动速率260°C/5.0kgISO 113315.0 cm3/10min
收缩率TD:260°C,3.00mmISO 25770.55-0.75 %
MD:260°C,3.00mmISO 25770.55-0.75 %
吸水率平衡,23°C,50%RHISO 620.20 %
饱和,23°CISO 620.60 %